[发明专利]幅材基板沉积系统无效
申请号: | 201080015287.5 | 申请日: | 2010-03-16 |
公开(公告)号: | CN102365712A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | P·斯费尔拉佐 | 申请(专利权)人: | 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种幅材基板原子层沉积系统,其包括:至少一个辊,所述至少一个辊将幅材基板的表面传输经过多个处理室。所述多个处理室包括第一前体反应室,所述第一前体反应室将幅材基板的表面暴露于第一前体气体的期望的分压力下,由此在幅材基板的表面上形成第一层。吹扫室利用吹扫气体吹扫幅材基板的表面。真空室从幅材基板的表面除去气体。第二前体反应室将幅材基板的表面暴露于第二前体气体的期望的分压力下,由此在幅材基板的表面上形成第二层。 | ||
搜索关键词: | 幅材基板 沉积 系统 | ||
【主权项】:
一种幅材基板原子层沉积系统,所述沉积系统包括:a)至少一个辊,所述至少一个辊沿着第一方向将幅材基板的第一表面传输经过处理室;和b)多个处理室,所述多个处理室定位成使得所述至少一个辊沿着所述第一方向将所述幅材基板的第一表面传输经过所述多个处理室,所述多个处理室包括:第一前体反应室,所述第一前体反应室将所述幅材基板的第一表面暴露于第一前体气体的期望的分压力下,由此在所述幅材基板的第一表面上形成第一层;吹扫室,所述吹扫室利用吹扫气体吹扫所述幅材基板的第一表面;真空室,所述真空室从所述幅材基板的第一表面去除气体;和第二前体反应室,所述第二前体反应室将所述幅材基板的第一表面暴露于第二前体气体的期望的分压力下,由此在所述幅材基板的第一表面上形成第二层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造