[发明专利]接收辐射的半导体器件和光电子部件

摘要

说明了一种接收辐射的半导体器件，其具有：半导体本体(1)，其以硅形成并且具有辐射入射面(1a)以及吸收区(2)，在吸收区中吸收通过辐射入射面(1a)进入半导体本体(1)的电磁辐射(10)，其中吸收区(2)具有最大10μm的厚度(d)；滤光层(3)，其以介电材料形成，其中滤光层(3)覆盖半导体本体(1)的辐射入射面(1a)；以及浇注体(4)，其至少在半导体本体(1)的辐射入射面(1a)上遮盖该半导体本体，其中浇注体(4)包含吸收辐射的材料(5)。

主权项

一种接收辐射的半导体器件，具有： 半导体本体(1)，其以硅形成并且具有辐射入射面(1a)以及吸收区(2)，在吸收区中吸收通过辐射入射面(1a)进入半导体本体(1)的电磁辐射(10)，其中吸收区(2)具有最大10μm的厚度(d)， 滤光层(3)，其以介电材料形成，其中滤光层(3)覆盖半导体本体(1)的辐射入射面(1a)，以及 浇注体(4)，其至少在半导体本体(1)的辐射入射面(1a)上遮盖该半导体本体，其中浇注体(4)包含吸收辐射的材料(5)。