[发明专利]接收辐射的半导体器件和光电子部件有效
| 申请号： | 201080011562.6 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102349161A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·穆勒;维尔纳·库尔曼 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0203;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接收 辐射 半导体器件 光电子 部件 | ||
1.一种接收辐射的半导体器件，具有：
-半导体本体(1)，其以硅形成并且具有辐射入射面(1a)以及吸收区(2)，在吸收区中吸收通过辐射入射面(1a)进入半导体本体(1)的电磁辐射(10)，其中吸收区(2)具有最大10μm的厚度(d)，
-滤光层(3)，其以介电材料形成，其中滤光层(3)覆盖半导体本体(1)的辐射入射面(1a)，以及
-浇注体(4)，其至少在半导体本体(1)的辐射入射面(1a)上遮盖该半导体本体，其中浇注体(4)包含吸收辐射的材料(5)。
2.根据上述权利要求所述的接收辐射的半导体器件，其中滤光层(3)设置用于过滤红外辐射。
3.根据上述权利要求之一所述的接收辐射的半导体器件，其中滤光层(3)包括至少一个层(31，32)，所述至少一个层由如下材料之一形成：氧化硅、氮化硅。
4.根据上述权利要求之一所述的接收辐射的半导体器件，其中滤光层(3)与半导体本体(1)的辐射入射面(1a)直接接触。
5.根据上述权利要求之一所述的接收辐射的半导体器件，其中浇注体(4)包含如下材料的至少之一：硅树脂、环氧树脂。
6.根据上述权利要求之一所述的接收辐射的半导体器件，其中滤光层(3)包括最多十个层(31，32)。
7.根据上述权利要求之一所述的接收辐射的半导体器件，其中吸收辐射的材料(5)设置用于吸收红外辐射。
8.根据上述权利要求之一所述的接收辐射的半导体器件，其中滤光层(3)设置在半导体本体(1)与浇注体(4)之间。
9.根据上一权利要求所述的接收辐射的半导体器件，其中浇注体(4)至少局部与滤光层(3)直接接触。
10.根据上一权利要求所述的接收辐射的半导体器件，其中浇注体(4)具有600μm的最大厚度(D)。
11.一种光电子部件，具有：
-连接支承体(6)，其具有上侧(6a)，
-根据上述权利要求之一所述的接收辐射的半导体器件(100)，该半导体器件在连接支承体(6)的上侧(6a)上固定在该连接支承体上，其中
-接收辐射的半导体器件(100)的浇注体(4)与连接支承体(6)直接接触并且具有600μm的最大厚度(D)。
12.根据上一权利要求所述的光电子部件，其中浇注体(4)仅仅在连接支承体(6)的上侧(6a)上与连接支承体(6)接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
