[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 201080007113.4 | 申请日： | 2010-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102326458A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 平山昌树;大见忠弘 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种通过微波使气体激励而对基板(G)进行等离子体处理的微波等离子体处理装置(10)，包括：处理容器(100)，所述处理容器(100)由金属形成；微波源(900)，所述微波源900)输出微波；第一电介质(305)，第一电介质(305)面向处理容器(100)的内壁，将从微波源(900)输出的微波向处理容器内透射；第二电介质(340)，所述第二电介质(340)被设置在处理容器(100)的内表面，抑制沿处理容器(100)的内表面传播的微波。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置通过电磁波使气体激励来对被处理体进行等离子处理，包括：处理容器，所述处理容器由金属形成；电磁波源，所述电磁波源用于输出电磁波；第一电介质，所述第一电介质面向所述处理容器的内壁，将从所述电磁波源输出的电磁波向所述处理容器内透射；以及，第二电介质，所述第二电介质被设置在所述处理容器的内表面，抑制沿所述处理容器的内表面传播的电磁波。
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