[发明专利]非对称结型场效应晶体管及其制造方法

摘要

一种半导体衬底中的结型场效应晶体管(JFET)，其包括源极区域、漏极区域、沟道区域、上栅极区域和下栅极区域。下栅极区域电连接至上栅极区域。上栅极区域和下栅极区域对流过沟道区域的电流进行控制。通过执行将源极区域的厚度扩展至大于漏极区域的厚度的深度的离子注入步骤，形成非对称JFET。源极区域的深度相对于漏极区域的深度的扩展减小了少数电荷载流子行进通过沟道区域的长度、降低了JFET的导通电阻并且增加了JFET的导通电流，从而在不减小可允许的Vds或动态增加Voff/Vpinch的情况下增强了JFET的整体性能。

主权项

一种半导体结构，包括：主体层，包括半导体材料并且具有第一导电类型的掺杂，并且位于半导体衬底中；源极区域，包括所述半导体材料并且具有所述第一导电类型的掺杂，并且横向地邻接所述主体层；漏极区域，包括所述半导体材料并且具有所述第一导电类型的掺杂，并且横向地邻接所述主体层；上栅极区域，包括所述半导体材料并且具有第二导电类型的掺杂，并且垂直地邻接所述主体层的顶部表面，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，以及下栅极区域，包括所述半导体材料并且具有所述第二导电类型的掺杂，并且垂直地邻接所述主体层的底部表面以及横向地邻接所述主体层的侧壁并且邻接所述上栅极区域，其中所述源极区域和所述漏极区域具有基本上共面的顶部表面，并且其中所述源极区域的底部表面位于所述漏极区域的最底部表面的水平面之下。