[发明专利]具有脒衍生物配体的新型锗络合物及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201080004271.4 申请日: 2010-01-07
公开(公告)号: CN102272140A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 郑在善;尹洙亨;金旻赞;韩诚元;朴容主;辛守丁;成耆焕;李相京 申请(专利权)人: 韩国泰科诺赛美材料株式会社
主分类号: C07F7/30 分类号: C07F7/30
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谢顺星
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种化学式1表示的锗络合物:[化学式1]其中,Y1和Y2独立地选自R3、NR4R5或OR6,且R1至R6独立地表示(C1-C7)烷基。本发明提供的具有脒衍生物配体的锗络合物热稳定、易挥发且不含有卤素组分。因此,其可作为前体用于制备高质量的锗薄膜或通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)或原子层沉积(ALD)制备含锗化合物薄膜。
搜索关键词: 具有 衍生物 新型 络合物 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种化学式1表示的锗络合物:[化学式1]其中,Y1和Y2独立地选自R3、NR4R5或OR6,且R1至R6独立地表示(C1-C7)烷基。
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