[发明专利]绝缘栅双极型晶体管

摘要

一种能够通过减小沟道迁移率而减小导通电阻的IGBT，包括：n型衬底(11)，所述衬底(11)由SiC制成，并且其主表面(11A)相对于{0001}的面取向具有不小于50°且不大于65°的偏离角p型击穿电压保持层(13)，其由SiC制成，并且形成在衬底(11)的主表面(11A)上n型阱区(14)，其形成为包括击穿电压保持层(13)的第二主表面(13B)发射区(15)，其形成在阱区(14)中，以包括第二主表面(13B)，并且包括比击穿电压保持层(13)的浓度更高的浓度的p型杂质；栅极氧化物膜(17)，其形成在击穿电压保持层(13)上；以及栅电极(19)，其形成在栅极氧化物膜(17)上。在包括阱区(14)和栅极氧化物膜(17)之间的界面的区域中，形成高浓度氮化物区域(22)，以具有比阱区(14)和栅极氧化物膜(17)的氮浓度更高的氮浓度。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管(1)，包括：第一导电类型的衬底(11)，所述衬底(11)由碳化硅制成，并且所述衬底(11)的主表面(11A)相对于{0001}的面取向具有不小于50°且不大于65°的偏离角；与所述第一导电类型不同的第二导电类型的击穿电压保持层(13)，所述击穿电压保持层(13)由碳化硅制成，并且形成在所述衬底(11)的所述主表面(11A)上；所述第一导电类型的阱区(14)，所述阱区(14)形成在所述击穿电压保持层(13)中以包括所述击穿电压保持层(13)的第二主表面(13B)，所述第二主表面(13B)是相反于所述击穿电压保持层(13)的第一主表面(13A)的主表面，所述第一主表面(13A)邻近所述衬底(11)；发射区(15)，所述发射区(15)形成在所述阱区(14)中以包括所述第二主表面(13B)，并且所述发射区(15)包括相比于所述击穿电压保持层(13)具有更高的浓度的所述第二导电类型的杂质；氧化物膜(17)，所述氧化物膜(17)由氧化物制成，并且以与所述第二主表面(13B)相接触的方式形成在所述击穿电压保持层(13)上；以及电极(19)，所述电极(19)形成在所述氧化物膜(17)上，在包括所述阱区(14)和所述氧化物膜(17)之间的界面的区域中，形成有高浓度氮区域(22)以使其相比于所述阱区(14)和所述氧化物膜(17)具有更高的氮浓度。