[发明专利]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管(1)，包括：

第一导电类型的衬底(11)，所述衬底(11)由碳化硅制成，并且所述衬底(11)的主表面(11A)相对于{0001}的面取向具有不小于50°且不大于65°的偏离角；

与所述第一导电类型不同的第二导电类型的击穿电压保持层(13)，所述击穿电压保持层(13)由碳化硅制成，并且形成在所述衬底(11)的所述主表面(11A)上；

所述第一导电类型的阱区(14)，所述阱区(14)形成在所述击穿电压保持层(13)中以包括所述击穿电压保持层(13)的第二主表面(13B)，所述第二主表面(13B)是相反于所述击穿电压保持层(13)的第一主表面(13A)的主表面，所述第一主表面(13A)邻近所述衬底(11)；

发射区(15)，所述发射区(15)形成在所述阱区(14)中以包括所述第二主表面(13B)，并且所述发射区(15)包括相比于所述击穿电压保持层(13)具有更高的浓度的所述第二导电类型的杂质；

氧化物膜(17)，所述氧化物膜(17)由氧化物制成，并且以与所述第二主表面(13B)相接触的方式形成在所述击穿电压保持层(13)上；以及

电极(19)，所述电极(19)形成在所述氧化物膜(17)上，

在包括所述阱区(14)和所述氧化物膜(17)之间的界面的区域中，形成有高浓度氮区域(22)以使其相比于所述阱区(14)和所述氧化物膜(17)具有更高的氮浓度。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管(1)，其中，

在距离所述阱区(14)和所述氧化物膜(17)之间的所述界面10nm或更近的区域中的氮浓度具有不小于1×10²¹cm^-3的最大值。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管(1)，其中，

所述衬底(11)的所述主表面(11A)具有落入在相对<11-20>方向±5°或更小的范围内的偏离取向。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管(1)，其中，

所述衬底(11)的所述主表面(11A)具有落入在相对<01-10>方向±5°或更小的范围内的偏离取向。

5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管(1)，其中，

所述衬底(11)的所述主表面(11A)的面取向相对{03-38}的面取向具有不小于-3°且不大于+5°的偏离角。

6.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管(1)，其中，

所述衬底(11)的所述主表面(11A)相对于在<01-10>方向上的(0-33-8)面具有不小于-3°且不大于+5°的偏离角。