[发明专利]显示装置用薄膜半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201080002214.2 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102405527A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 林宏;川岛孝启;河内玄士朗 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;徐健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示装置用薄膜半导体器件，具有：第一沟道层(130)，由多晶半导体层形成；第二沟道层(140)，由形成在第一沟道层(130)上的非晶半导体层形成，在表面具有凸形状；绝缘层(150)，形成在第二沟道层(140)的凸形状的上面；接触层(160)以及(161)，形成在绝缘层(150)的端部的上面及侧面、与绝缘层(150)的侧面相连的第二沟道层(140)的凸形状的侧面、以及与第二沟道层(140)的凸形状的侧面相连的第二沟道层(140)的上面；以及源电极(170)和漏电极(171)，接触层(160)以及(161)具有第一导电方式，第二沟道层(140)的凸形状的上部具有第二导电方式，由此能够使导通电流大幅度增加的同时使截止电流大幅度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种显示装置用薄膜半导体器件，具备：基板；栅电极，形成在所述基板上；栅极绝缘膜，形成在所述栅电极上；第一沟道层，由形成在所述栅极绝缘膜上的多晶半导体层形成；第二沟道层，由形成在所述第一沟道层上的非晶半导体层形成，在表面具有凸形状；绝缘层，形成在所述第二沟道层的凸形状的上面；两个接触层，形成在所述绝缘层的端部的上面及侧面、与所述绝缘层的侧面相连的所述第二沟道层的凸形状的侧面、以及与所述第二沟道层的所述凸形状的侧面相连的所述第二沟道层的上面；以及源电极和漏电极，所述源电极形成在所述接触层的一方上，所述漏电极形成在所述接触层的另一方上，所述两个接触层具有第一导电方式，所述第二沟道层的凸形状的上部具有与所述第一导电方式相反的第二导电方式。
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