[发明专利]显示装置用薄膜半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置用薄膜半导体器件，具备：

基板；

栅电极，形成在所述基板上；

栅极绝缘膜，形成在所述栅电极上；

第一沟道层，由形成在所述栅极绝缘膜上的多晶半导体层形成；

第二沟道层，由形成在所述第一沟道层上的非晶半导体层形成，在表面具有凸形状；

绝缘层，形成在所述第二沟道层的凸形状的上面；

两个接触层，形成在所述绝缘层的端部的上面及侧面、与所述绝缘层的侧面相连的所述第二沟道层的凸形状的侧面、以及与所述第二沟道层的所述凸形状的侧面相连的所述第二沟道层的上面；以及

源电极和漏电极，所述源电极形成在所述接触层的一方上，所述漏电极形成在所述接触层的另一方上，

所述两个接触层具有第一导电方式，

所述第二沟道层的凸形状的上部具有与所述第一导电方式相反的第二导电方式。

2.根据权利要求1所述的显示装置用薄膜半导体器件，

所述第二沟道层的凸形状的两侧的下部成为所述源电极及所述漏电极与所述第一沟道层之间的电荷的移动路径。

3.根据权利要求1或2所述的显示装置用薄膜半导体器件，

所述绝缘层的宽度为与所述第二沟道层的凸形状的上部的上面的宽度相同的宽度。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体器件，

所述第二沟道层的凸形状的上部掺杂有对其赋予与所述第一导电方式相反的第二导电方式的杂质。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体器件，

所述第一导电方式为P型，

所述第二导电方式为N型。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体器件，

所述第一导电方式为N型，

所述第二导电方式为P型。

7.根据权利要求5所述的显示装置用薄膜半导体器件，

所述绝缘层包含磷硅玻璃。

8.根据权利要求6所述的显示装置用薄膜半导体器件，

所述绝缘层包含硼硅玻璃。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体器件，

所述多晶半导体层为多晶硅，

所述非晶半导体层为非晶硅。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的显示装置用薄膜半导体器件，

所述多晶半导体层包含平均粒径为20nm到50nm的微晶半导体层。

11.一种显示装置用薄膜半导体器件的制造方法，包括：

第一工序，准备基板；

第二工序，在所述基板上形成栅电极；

第三工序，在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

第四工序，在所述栅极绝缘膜上形成由多晶半导体层形成的第一沟道层；

第五工序，在所述第一沟道层上形成由非晶半导体层形成的第二沟道层；

第六工序，对所述第二沟道层的上层，为了使其具有第二导电方式而掺杂杂质；

第七工序，在所述第二沟道层上形成绝缘层；

第八工序，在所述绝缘层上配置预定宽度的抗蚀剂；

第九工序，通过预定的干式蚀刻方法，以所述抗蚀剂为掩模，对所述绝缘层和所述第二沟道层的掺杂有杂质的上层进行蚀刻，使所述第二沟道层的表面成为凸形状；

第十工序，将所述抗蚀剂从所述绝缘层除去；

第十一工序，在所述绝缘层的端部的上面及侧面、与所述绝缘层的侧面相连的所述第二沟道层的凸形状的侧面、以及与所述第二沟道层的所述凸形状的侧面相连的所述第二沟道层的上面，形成具有与所述第二导电方式相反的第一导电方式的两个接触层；

第十二工序，在所述接触层的一方上形成源电极，在所述接触层的另一方上形成漏电极。