[发明专利]电阻变化元件及其制造方法

摘要

本发明提供电阻变化元件，该电阻变化元件提高电阻变化动作的稳定性，且能降低刚制造后的初始状态的电阻变化元件最初进行低电阻化所需的电流。电阻变化元件包括：第一电极(101)；在第一电极上形成的存储器单元孔(150)；第一电阻变化层(201)，形成为覆盖存储器单元孔(150)的底部，且覆盖第一电极(101)的上面；第二电阻变化层(202)，形成为覆盖第一电阻变化层(201)；以及在存储器单元孔(150)上形成的第二电极(102)。第一电阻变化层(201)的在存储器单元孔(150)底的膜厚向存储器单元孔(150)的周边部连续减小，并在存储器单元孔(150)周边部附近成为极小值，并且第一电阻变化层(201)中的氧浓度比第二电阻变化层(202)中的氧浓度高。

主权项

一种电阻变化元件，其特征在于，包括：基板；第一电极，形成在上述基板上；层间绝缘层，形成在上述基板上；第一电阻变化层，在贯通上述层间绝缘层而形成的存储器单元孔内，而且在上述第一电极上形成；第二电阻变化层，在上述存储器单元孔内形成为覆盖上述第一电阻变化层；以及第二电极，至少覆盖上述存储器单元孔的上部，并且至少与上述第二电阻变化层电连接，通过在上述第一电极和上述第二电极之间施加规定的电压或电流，使得上述第一电极和上述第二电极之间的电阻值发生变化，上述第一电阻变化层的在上述存储器单元孔底的膜厚从上述存储器单元孔中心部附近向上述存储器单元孔周边部连续减小，并在上述存储器单元孔周边部附近成为极小值，并且，上述第一电阻变化层中的氧浓度比上述第二电阻变化层中的氧浓度高。