[发明专利]Cu-Ga烧结体溅射靶及该靶的制造方法有效
| 申请号： | 201080001562.8 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102046836A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 生泽正克;高见英生;田村友哉 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/00;B22F3/14;B22F9/04;B22F9/08;C22C1/04;C22C9/00;C22C28/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 金龙河;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种Cu-Ga合金烧结体溅射靶，其特征在于，由Ga浓度为20～60原子％、余量为Cu和不可避免的杂质的Cu-Ga合金粉末烧结体制成，该烧结体的相对密度为97％以上，平均结晶粒径为5～30μm，并且抗折力为150MPa以上。可提供没有组成偏析、脆性小的Ga浓度为25～45原子％的高Ga浓度的Cu-Ga靶及其制造方法，由于能够提高制造靶和制造CIGS系太阳能电池的成品率并降低制造成本，因此作为通过硒化法制造的CIGS系太阳能电池的制造用材料是有用的。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 烧结 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu‑Ga合金烧结体溅射靶，其特征在于，由Ga浓度为20～60原子％、余量为Cu和不可避免的杂质的Cu‑Ga合金粉末的烧结体制成，该烧结体的相对密度为97％以上，平均结晶粒径为5～30μm，并且抗折力为150MPa以上。
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