[发明专利]PBNZT强电介质膜、溶胶凝胶溶液、成膜方法及强电介质膜的制造方法有效
| 申请号： | 201080001396.1 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102245513A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;本多祐二 | 申请（专利权）人： | 友技科株式会社 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以充分地防止氧离子的缺损的PBNZT强电介质膜。本发明的PBNZT强电介质膜是由以ABO3表钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，所述钙钛矿结构强电介质是作为A点位离子含有Pb2+、并且作为B点位离子含有Zr4+及Ti4+的PZT系强电介质，在A点位作为A点位补偿离子含有Bi3+，在B点位作为B点位补偿离子含有Nb5+。 | ||
| 搜索关键词： | pbnzt 电介质 溶胶 凝胶 溶液 方法 制造 | ||
【主权项】：
一种PBNZT强电介质膜，其是由以ABO3表示的钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，所述钙钛矿结构强电介质是作为A点位离子含有Pb2+、并且作为B点位离子含有Zr4+及Ti4+的PZT系强电介质，在A点位作为A点位补偿离子含有Bi3+，在B点位作为B点位补偿离子含有Nb5+。
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