[发明专利]PBNZT强电介质膜、溶胶凝胶溶液、成膜方法及强电介质膜的制造方法

权利要求书

1.一种PBNZT强电介质膜，其是由以ABO₃表示的钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，

所述钙钛矿结构强电介质是作为A点位离子含有Pb²⁺、并且作为B点位离子含有Zr⁴⁺及Ti⁴⁺的PZT系强电介质，

在A点位作为A点位补偿离子含有Bi³⁺，

在B点位作为B点位补偿离子含有Nb⁵⁺。

2.一种PBNZT强电介质膜，其是由包含氧离子缺损的以ABO₃表示的钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，

所述钙钛矿结构强电介质是作为A点位离子含有Pb²⁺、并且作为B点位离子含有Zr⁴⁺及Ti⁴⁺的PZT系强电介质，

在A点位作为A点位补偿离子含有Bi³⁺，

在B点位作为B点位补偿离子含有Nb⁵⁺，

由所述A点位补偿离子造成的整个A点位的过剩价数与由所述B点位补偿离子造成的整个B点位的过剩价数的合计与对应于所述氧离子缺损的量的不足价数相同，或者小于该不足价数。

3.一种PBNZT强电介质膜，其是由以(Pb_1-xBi_x)((TiZr)_1-YNb_Y)O₃表示的钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，

X为1～10mol％，

Y为1～10mol％。

4.一种PBNZT强电介质膜，其是由以(Pb_1-xBi_x)((TiZr)_1-YNb_Y)O₃表示的钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，

X为1～10mol％，

Y为1～10mol％，并且X＝Y。

5.根据权利要求2所述的PBNZT强电介质膜，其特征在于，

所述氧离子缺损的量相对于所述钙钛矿结构强电介质的化学计量组成为20mol％以下。

6.根据权利要求1、2及5中任意一项所述的PBNZT强电介质膜，其特征在于，

所述A点位补偿离子的含量相对于所述钙钛矿结构强电介质的化学计量组成为10mol％以下，

所述B点位补偿离子的含量相对于所述钙钛矿结构强电介质的化学计量组成为10mol％以下。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的PBNZT强电介质膜，其特征在于，具有柱状晶体结构。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的PBNZT强电介质膜，其特征在于，基本上不具有气泡。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的PBNZT强电介质膜，其特征在于，其显微维氏硬度为600～1200Hv。

10.一种溶胶凝胶溶液，其是用于在基板上形成强电介质膜的溶胶凝胶溶液，其特征在于，

所述溶胶凝胶溶液与所述基板的接触角为1°～40°以下。

11.根据权利要求10所述的溶胶凝胶溶液，其特征在于，

与所述基板的接触角为1～20°以下。

12.根据权利要求10或11所述的溶胶凝胶溶液，其特征在于，

所述溶胶凝胶溶液含有原料溶液，所述原料溶液含有包含Pb、Bi、Nb、Zr及Ti的醇盐原料的水解缩聚物。

13.根据权利要求12所述的溶胶凝胶溶液，其特征在于，

所述溶胶凝胶溶液在溶剂中含有多元羧酸或多元羧酸酯。

14.根据权利要求13所述的溶胶凝胶溶液，其特征在于，

所述多元羧酸酯含有杂多酸离子。