[实用新型]丝网印刷晶体硅太阳能电池铝背场结构无效
| 申请号： | 201020648416.1 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN201910428U | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 吕日祥;黄贵雄;范维涛;龚小文;敖淑恒 | 申请（专利权）人： | 江西升阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/048 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 338004 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 丝网印刷晶体硅太阳能电池铝背场结构，包括银电极、矩形模块、倒角、硅片，所述的硅片内设有矩形模块，矩形模块之间设有银电极，所述的矩形模块在靠近硅片的位置倒角，倒角的设计与硅片倒角相同。本实用新型充分利用硅片本身特点，将背铝场设计成倒角的样式，有效的改善了硅片边缘背表面的少子复合，提高长波光谱响应，采用本实用新型，通过实验分析，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 丝网 印刷 晶体 太阳能电池 铝背场 结构 | ||
【主权项】：
丝网印刷晶体硅太阳能电池铝背场结构，包括银电极、矩形模块、倒角、硅片，其特征在于，所述的硅片内设有矩形模块，矩形模块之间设有银电极，所述的矩形模块在靠近硅片的位置倒角，倒角的设计与硅片倒角相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
