[实用新型]丝网印刷晶体硅太阳能电池铝背场结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种丝网印刷晶体硅太阳能电池领域，具体是一种丝网印刷晶体硅太阳能电池铝背场结构。

背景技术

随着硅太阳电池衬底质量的不断提升，太阳电池的少子寿命也不断增大，当少子扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速率对太阳能电池特性的影响就很明显。采用丝网印刷背电场可有效的减少扩散过程中电子与空穴的复合，增大了载流子的扩散长度，提高了少子寿命。同时铝背场还具有吸杂、减少光穿透硅片，增加对长波吸收的作用。

目前硅太阳能电池采用丝网印刷的方式制备电池的正、背面电极及背面铝背场。现有硅太阳电池的背面结构，包括两条直线型的银电极以及分布在银电极两侧的铝背场，该铝背场包括位于两条银电极之间的矩形块和位于银电极外侧的两个矩形块，这种铝背场存在的问题是，在边缘的硅片位置处铝背场未能覆盖，因此不能有效的减少复合、吸杂和增加长波的吸收，对于电池片效率产生一定的影响。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了提供一种丝网印刷晶体硅太阳能电池铝背场结构，完成多路数据的采集与传送，并且具有极低的功率损耗，适于太阳能加蓄电池供电方式。

本实用新型的目的，就是为了更好的解决上述问题，提供一种硅太阳电池的铝背场结构。

为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

本实用新型硅太阳能电池铝背场结构，包括银电极、矩形模块、倒角、硅片，所述的硅片内设有矩形模块，矩形模块之间设有银电极，所述的矩形模块在靠近硅片的位置倒角，倒角的设计与硅片倒角相同。

本实例的工作原理是：随着现在太阳电池的材料以及制作水平的不断提高，太阳电池的少子寿命也不断增加，即少数载流子的扩散长度不断增加，当少数载流子的扩散长度与硅片厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速率对太阳电池特性的影响就很明显，为降低太阳电池的成本，提高效率。

有益效果：

本实用新型充分利用硅片本身特点，将背铝场设计成倒角的样式，有效的改善了硅片边缘背表面的少子复合，提高长波光谱响应，采用本实用新型，通过实验分析，提高工作效率。

附图说明

图1为本实用新型硅太阳电池的铝背场结构示意图；

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

参见图1，本实用新型硅太阳能电池铝背场结构，包括银电极1、矩形模块2、倒角4、硅片3，所述的硅片3内设有矩形模块2，矩形模块2之间设有银电极1，所述的矩形模块2在靠近硅片3的位置倒角4，倒角4的设计与硅片3倒角相同。

本实例的工作原理是：随着现在太阳电池的材料以及制作水平的不断提高，太阳电池的少子寿命也不断增加，即少数载流子的扩散长度不断增加，当少数载流子的扩散长度与硅片3厚度相当或超过硅片3厚度时，背表面的复合速率对太阳电池特性的影响就很明显，为降低太阳电池的成本，提高效率1.3％。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。