[实用新型]用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件无效
| 申请号： | 201020265774.4 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN201927364U | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 赵佳 | 申请（专利权）人： | 北京工商大学 |
| 主分类号： | G21K1/16 | 分类号： | G21K1/16 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 朱丽华 |
| 地址： | 100048*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件，该偏振元件为人工晶体制成的反射式偏振晶片，该反射式偏振晶片具有被抛光处理的反射镜面。其通过人工晶体制成的反射式偏振元件可以获取高线偏振度的软X射线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 射线 偏振 反射 元件 | ||
【主权项】：
一种用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件，其特征在于：该偏振元件为人工晶体制成的反射式偏振晶片，该反射式偏振晶片具有被抛光处理的反射镜面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工商大学，未经北京工商大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020265774.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三芯护套线
- 下一篇：一种托盘式光盘驱动装置
- 同类专利
- 一种有效调控强耦合劈裂能的方法-201810152333.4
- 廖清;任佳欢;付红兵 - 首都师范大学
- 2018-02-14 - 2019-08-23 - G21K1/16
- 本发明公开了一种有效调控强耦合劈裂能的方法。包括如下步骤：将PS溶于甲苯溶剂中，其次将不同质量的有机分子溶于PS甲苯溶液中，加热使其全部溶解，形成不同掺杂比例的混合溶液；再将配制好的混合溶液旋涂于80nm银膜上，通过控制甩膜仪转速恒定，从而得到不同掺杂比例、相同厚度的薄膜，再在有机薄膜上蒸镀上50nm银膜从而构成平板微腔，将制备好的微腔结构置于显微角分辨装置上通过测试反射率来拟合计算在不同掺杂溶度，相同厚度条件时的劈裂能。在该方法中，所用设备简单，快速方便，操作便捷，成本低，可重复性高，并且通过PS掺杂的薄膜粗糙度小，整个微腔的品质因子高，对实现全金属微腔中强耦合作用下大的劈裂能具有较高的应用价值。
- 一种通过式有机小分子整极装置-201810351644.3
- 茆学华;徐建坤 - 杭州三得农业科技有限公司
- 2018-04-19 - 2018-10-19 - G21K1/16
- 本发明公开了一种通过式有机小分子整极装置，包括一磁场发生装置、一磁场主机，磁场发生装置包括一安装有隔离变压器的磁场发生电源柜；所述磁场主机的中间设有横向空腔，横向空腔的左侧和右侧分别设有进料口和出料口，横向空腔的上下端分别设有上励磁线圈和下励磁线圈，且位于下励磁线圈的上端以及横向空腔底面的位置设有可使物料从进料口进去、从出料口出来的动力输送系统；本发明采用磁场发生装置、磁场主机以及使物料通过的动力输送系统相结合，利用一定范围内的电控磁场将有机小分子呈弥散分布的电荷集中于两极，使有机小分子的极特性明显，以增强有机小分子的物理健活性与振动电动力。
- 用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件-201020265774.4
- 赵佳 - 北京工商大学
- 2010-07-15 - 2011-08-10 - G21K1/16
- 本实用新型公开了一种用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件，该偏振元件为人工晶体制成的反射式偏振晶片，该反射式偏振晶片具有被抛光处理的反射镜面。其通过人工晶体制成的反射式偏振元件可以获取高线偏振度的软X射线。
- 一种用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件和方法-201010232543.8
- 赵佳 - 北京工商大学
- 2010-07-15 - 2011-01-05 - G21K1/16
- 本发明公开了一种用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件及方法，其偏振元件为人工晶体制成的反射式偏振晶片，该反射式偏振晶片具有被抛光处理的反射镜面。一种提高软X射线线偏振度的方法，其是通过人工晶体晶片来获取高线偏振度的软X射线，软X射线选取在50-180eV能区范围。其可以省去现有技术中的设计和复杂工艺制备过程的麻烦；利用新的反射式偏振元件来实现获取高线偏振度的软X射线。
- 专利分类
