[实用新型]一种能够消减应力的结构有效
| 申请号： | 201020232668.6 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN201758117U | 公开（公告）日： | 2011-03-09 |
| 发明（设计）人： | 凯文·皮尔斯 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种能够消减应力的结构，包含晶圆和晶圆上的若干层薄膜层，其特征在于，还包含若干沟槽，所述若干沟槽开设形成在所述薄膜层上，并将该晶圆上连续敷设的所述若干层薄膜层分隔成若干区域。本实用新型由于在大面积的玻璃基板的相邻单元板或450mm晶圆上相邻芯片的边界位置刻蚀形成沟槽，或是分割连续覆盖的薄膜层，通过减少表面上连续的薄膜层面积，达到消减应力的效果；在沟槽中填设有硼磷硅玻璃的填充物，通过化学机械平坦化(CMP)技术去除多余部分，保证了开设有沟槽的晶圆表面的平整，在消减晶圆应力同时，减小对后续工序的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 消减 应力 结构 | ||
【主权项】：
一种能够消减应力的结构，其特征在于，包含晶圆(100)、晶圆(100)上的若干层薄膜层(20)和若干沟槽(30)；所述若干沟槽(30)开设形成在所述薄膜层(20)上，并将该晶圆(100)上连续敷设的所述若干层薄膜层(20)分隔成若干区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
