[实用新型]一种能够消减应力的结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种器件结构，特别涉及一种能够消减应力的结构。

背景技术

在生产半导体器件时，通过在作为衬底的晶圆上生成或沉积若干层的薄膜，并在光刻、蚀刻等工艺后形成半导体器件的电路图案。

然而，在加工工艺的前道工序中，经由滚圆、倒角、研磨、划片等机械加工，往往会在晶圆上产生应力，其多集中在晶圆边缘受机械损伤的部位。应力会造成晶圆崩边、微裂或翘曲变形等情况的发生，并会在后续的加工工艺中进一步向晶圆的中心和内部延伸扩散。

当应力积累到临界值后会使晶圆出现裂纹或破碎；在高温氧化时，应力还会造成滑移线、位错排等缺陷；在扩散时，应力集中的区域扩散过度，会造成半导体器件PN结的错误导通；应力集中的区域还容易沉积金属离子的杂质，会导致漏电流的增大。

在直径450mm等面积较大的晶圆上，在沉积若干层薄膜之后，由于各层薄膜的收缩或拉伸的程度不同，会更容易在晶圆表面产生大的作用力，使上述应力造成的影响更加明显，例如会造成对晶圆的吸持固定或对光刻的校准变得十分困难。

与上述相类似的，在生产液晶显示器件、太阳能电池板等的过程中，由于需要在作为衬底的大面积的玻璃基板表面蒸镀若干层含In₂O₃或SnO₂的透明导电层，即ITO(氧化铟锡)膜层，并重复光刻、蚀刻等步骤以形成电极图案，因此也会产生应力并对玻璃基板的成品率和质量造成影响。

实用新型内容

本实用新型提供的能够消减应力的结构，通过刻蚀形成沟槽，将依次覆盖在晶圆或玻璃基板上的薄膜的连续面积减小，能够有效消减大面积的结构表面上产生的应力。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是提供一种能够消减应力的结构，其特征在于，包含晶圆、晶圆上的若干层薄膜层和若干沟槽；上述若干沟槽开设形成在上述薄膜层上，并将该晶圆上连续敷设的上述若干层薄膜层分隔成若干区域。

上述若干层薄膜层是分别位于上述晶圆正反两面的；上述若干沟槽是分别位于上述晶圆一面或正反两面的薄膜层上的。

上述晶圆上包含若干半导体芯片；上述若干沟槽是刻蚀形成在上述相邻芯片的边界位置的。

上述若干沟槽在上述晶圆上形成十字型、长条型或是网格型的凹槽图案。

上述薄膜层是依次沉积在上述晶圆上作为栅极的栅极氧化层和多晶硅层；上述若干沟槽是在上述晶圆上生成栅极后，刻蚀上述栅极氧化层、多晶硅层形成的。

一种能够消减应力的结构，其特征在于，包含玻璃基板、玻璃基板上的若干层薄膜层和若干沟槽；上述若干沟槽开设形成在上述薄膜层上，并将该玻璃基板上连续敷设的上述若干层薄膜层分隔成若干区域。

上述薄膜层包含在上述玻璃基板上蒸镀形成的若干层透明导电层。

上述玻璃基板包含若干单元板；上述若干沟槽是刻蚀形成在玻璃基板上相邻单元板的边界位置的。

上述若干沟槽在上述玻璃基板上形成十字型、长条型或是网格型的凹槽图案。

一种能够消减应力的结构，包含晶圆和开设形成在晶圆上的若干沟槽；所述若干沟槽将该晶圆分隔成若干芯片加工区。

本实用新型提供的一种能够消减应力的结构与现有技术相比，其优点在于：本实用新型由于在450mm的大面积晶圆上相邻芯片之间的边界位置刻蚀形成沟槽，将晶圆上的薄膜层分隔成若干区域，通过减少晶圆表面连续覆盖的薄膜层面积，达到消减晶圆应力的效果。

本实用新型由于在沟槽中填设有硼磷硅玻璃(BPSG)或硼硅玻璃(BSG)的填充物，其超出沟槽的部分通过化学机械平坦化(CMP)技术研磨去除，保证了开设有沟槽的晶圆表面的平整，在消减晶圆应力同时，减小对后续工序的影响。

本实用新型由于在大面积玻璃基板上相邻单元板的边界位置刻蚀形成沟槽，将敷设在玻璃基板上的连续薄膜层分隔成若干区域，从而提供大面积玻璃基板上应力释放的渠道，实现消减表面应力的效果。

本实用新型由于在大面积晶圆上刻蚀形成沟槽，将晶圆分隔成若干芯片加工区，提供了大面积晶圆上应力释放的渠道，实现消减表面应力的效果。

附图说明

图1是本实用新型的一种能够消减应力的结构在实施例1中的一种结构示意图；

图2是本实用新型的一种能够消减应力的结构在实施例1中的另一种结构示意图；

图3是本实用新型的一种能够消减应力的结构在实施例1中的又一种结构示意图；

图4是本实用新型的一种能够消减应力的结构在实施例1中的结构剖视图；

图5是本实用新型的一种能够消减应力的结构在实施例1中在晶圆正反面形成沟槽的结构剖视图；