[实用新型]一种能够消减应力的结构

权利要求书

1.一种能够消减应力的结构，其特征在于，包含晶圆(100)、晶圆(100)上的若干层薄膜层(20)和若干沟槽(30)；所述若干沟槽(30)开设形成在所述薄膜层(20)上，并将该晶圆(100)上连续敷设的所述若干层薄膜层(20)分隔成若干区域。

2.如权利要求1所述的能够消减应力的结构，其特征在于，所述若干层薄膜层(20)是分别位于所述晶圆(100)正反两面的；所述若干沟槽(30)是分别位于所述晶圆(100)一面或正反两面的薄膜层(20)上的。

3.如权利要求1所述的能够消减应力的结构，其特征在于，所述晶圆(100)上包含若干半导体芯片(101)；所述若干沟槽(30)是刻蚀形成在所述相邻芯片(101)的边界(102)位置的。

4.如权利要求3所述的能够消减应力的结构，其特征在于，所述若干沟槽(30)在所述晶圆(100)上形成十字型、长条型或是网格型的凹槽图案。

5.如权利要求4所述的能够消减应力的结构，其特征在于，所述薄膜层(20)是依次沉积在所述晶圆(100)上作为栅极的栅极氧化层(21)和多晶硅层(22)；所述若干沟槽(30)是在所述晶圆(100)上生成栅极后，刻蚀所述栅极氧化层(21)、多晶硅层(22)形成的。

6.一种能够消减应力的结构，其特征在于，包含玻璃基板(200)、玻璃基板(200)上的若干层薄膜层(20)和若干沟槽(30)；所述若干沟槽(30)开设形成在所述薄膜层(20)上，并将该玻璃基板(200)上连续敷设的所述若干层薄膜层(20)分隔成若干区域。

7.如权利要求6所述的能够消减应力的结构，其特征在于，所述薄膜层(20)包含在所述玻璃基板(200)上蒸镀形成的若干层透明导电层。

8.如权利要求6所述的能够消减应力的结构，其特征在于，所述玻璃基板(200)包含若干单元板(201)；所述若干沟槽(30)是刻蚀形成在玻璃基板(200)上相邻单元板(201)的边界(102)位置的。

9.如权利要求6所述的能够消减应力的结构，其特征在于，所述若干沟槽(30)在所述玻璃基板(200)上形成十字型、长条型或是网格型的凹槽图案。

10.一种能够消减应力的结构，其特征在于，包含晶圆(100)和开设形成在晶圆(100)上的若干沟槽(30)；所述若干沟槽(30)将该晶圆(100)分隔成若干芯片加工区(110)。