[实用新型]具有热辐射散热层的发光二极管无效
申请号: | 201020206922.5 | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN201829524U | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 陈烱勋 | 申请(专利权)人: | 景德镇正宇奈米科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/42 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 江西省景德镇*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有热辐射散热层的发光二极管,该发光二极管包含蓝宝石基板、第一热辐射散热层、第二热辐射散热层、磊晶发光结构、第一金属接触层以及第二金属接触层,本实用新型的特点主要是在蓝宝石基板的一面或双面形成以金属非金属组合物所构成的热辐射散热层,而将磊晶发光结构及蓝宝石基板中所累积的热透过方向性之热幅射方式迅速传递,而改善了散热效率,而使发光二极管达到更高的发光效率,并延长了发光二极管以及应用发光二极管的产品的生命周期。 | ||
搜索关键词: | 具有 热辐射 散热 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种具有热辐射散热层的发光二极管,其特征在于,包含:一蓝宝石基板,具有一第一热膨胀系数,并具有电气绝缘性;一第一热辐射散热层,形成在该蓝宝石基板上,具有一第一上部表面及一第一下部表面,该第一上部表面具有多个结晶体的一第一表面显微结构,且该第一热辐射散热层具有一第二热膨胀系数;一磊晶发光结构,形成在该第一热辐射散热层之上,并与该第一上部表面接触,包含一n型半导体化合物层、一发光层以及一p型半导体化合物层,用以发光;一第二热辐射散热层,形成在该磊晶发光结构上,具有一第二上部表面及一第二下部表面,该第二下部表面与该p型半导体化合物层接触,而该第二热辐射散热层的该第二上部表面具有多个结晶体的一第二表面显微结构,且该第二热辐射散热层具有透光性及导电性;一第一金属接触层,与该n型半导体化合物层形成奥姆接触,以连接至一外部电源的一负极;以及一第二金属接触层,与该第二热辐射散热层的该第二上部表面形成奥姆接触,以连接至该外部电源的一正极。
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