[实用新型]具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻有效
| 申请号： | 201020128439.X | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN201663023U | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 郭俊雄 | 申请（专利权）人： | 华新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型是有关于一种具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻，该晶片电阻包含一基板、两形成于基板两侧的银电极、一形成于基板上并叠接两侧银电极的电阻，一覆盖该电阻的保护层以及一形成于基板上表面而覆盖银电极裸露部分的抗硫化材，藉由抗硫化材可确保银电极不会与外在环境的硫化物化合变成硫化银，避免与电阻交界面接触不良的情形发生，进而提升电阻在高硫化可靠度测试的产品稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化 电极 结构 晶片 电阻 | ||
【主权项】：
一种具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其包含：一基板；两银电极，分别形成于该基板两侧，各银电极包含位于基板上表面的上部、位于基板侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；一电阻，形成于该基板上表面，该电阻两端分别延伸叠接于基板两侧的银电极上部；一保护层，形成于基板上而覆盖该电阻；及两抗硫化材，分别形成于基板两侧而覆盖各银电极上部的裸露部分。
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