[实用新型]具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻

权利要求书

1.一种具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其包含：

一基板；

两银电极，分别形成于该基板两侧，各银电极包含位于基板上表面的上部、位于基板侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；

一电阻，形成于该基板上表面，该电阻两端分别延伸叠接于基板两侧的银电极上部；

一保护层，形成于基板上而覆盖该电阻；及

两抗硫化材，分别形成于基板两侧而覆盖各银电极上部的裸露部分。

2.根据权利要求1所述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其中所述的电阻为抗硫化电阻，该两抗硫化材为该电阻两端的延伸部分。

3.根据权利要求1所述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其中所述的两抗硫化材为抗硫化电极。

4.根据权利要求1所述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其中所述的两抗硫化材为抗硫化电阻。

5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其进一步包含两第一金属分别覆盖基板两侧的抗硫化材及银电极，以及两第二金属分别覆盖该两第一金属。

6.一种具抗硫化电极结构的晶片排阻，其特征在于其包含：

一基板；

多个电阻，形成于该基板上表面，该些电阻两端分别延伸至基板两侧；

多个银电极，形成于该基板两侧而分别连接各电阻的一端，各银电极包含位于基板上表面而与电阻叠接的上部、位于基板侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；

一保护层，形成于基板上而覆盖于该些电阻上；及

多个抗硫化材，形成于基板上而覆盖各银电极上部的裸露部分。

7.根据权利要求6所述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其特征在于其中所述的该些电阻为抗硫化电阻，该些抗硫化材分别为该些电阻两端的延伸部分。

8.根据权利要求6所述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其特征在于其中所述的该些抗硫化材为抗硫化电极。

9.根据权利要求6所述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其特征在于其中所述的该些抗硫化材为抗硫化电阻。

10.根据权利要求7至10中任一权利要求所述的具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻，其特征在于其进一步包含多个第一金属分别覆盖基板两侧的抗硫化材及银电极，以及包含多个第二金属分别覆盖该些第一金属。