[实用新型]具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶片电阻及晶片排阻，特别是涉及一种具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻。

背景技术

既有晶片电阻主要是于陶瓷基板两侧印上电极，各电极皆延伸至基板的上、下表面，并接着在基板上表面印刷一电阻分别连接两侧的电极，最后再于电阻上覆盖一保护层而构成晶片电阻，其中电极一般采用银电极，主要原因在于银的电阻率最低，是常温下导电性最佳的金属材料。

然而由于银的金属特性使其易与外在环境的硫化物化合变成硫化银而逐渐延伸至与电阻的接触部分，银电极容易受到硫化侵蚀将造成其与电阻的交界面接触不良或产生断路，从而影响晶片电阻在可靠度测试的产品稳定性。

由此可见，上述现有的晶片电阻及晶片排阻在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的晶片电阻及晶片排阻存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻，能够改进一般现有的晶片电阻及晶片排阻，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本实用新型的主要目的在于，克服现有的晶片电阻及晶片排阻存在的缺陷，而提供一种新型的具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻，所要解决的技术问题是使其藉由一抗硫化金属层达到保护银电极不会与外界硫化物产生化合反应，非常适于实用。

本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种具抗硫化电极结构的晶片电阻，其包含：

一基板；

两银电极，分别形成于该基板两侧，各银电极包含位于基板上表面的上部、位于基板侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；

一电阻，形成于该基板上表面，该电阻两端分别延伸叠接于基板两侧的银电极上部；

一保护层，形成于基板上而覆盖该电阻；及

两抗硫化材，分别形成于基板两侧而覆盖各银电极上部的裸露部分。

本实用新型的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其中所述的电阻为抗硫化电阻，该两抗硫化材为该电阻两端的延伸部分。

前述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其中所述的两抗硫化材为抗硫化电极。

前述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其中所述的两抗硫化材为抗硫化电阻。

前述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其进一步包含两第一金属分别覆盖基板两侧的抗硫化材及银电极，以及两第二金属分别覆盖该两第一金属。

本实用新型的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的一种具抗硫化电极结构的晶片排阻，其包含：

一基板；

多个电阻，形成于该基板上表面，该些电阻两端分别延伸至基板两侧；

多个银电极，形成于该基板两侧而分别连接各电阻的一端，各银电极包含位于基板上表面而与电阻叠接的上部、位于基板侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；

一保护层，形成于基板上而覆盖于该些电阻上；及

多个抗硫化材，形成于基板上而覆盖各银电极上部的裸露部分。

本实用新型的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其中所述的该些电阻为抗硫化电阻，该些抗硫化材分别为该些电阻两端的延伸部分。

前述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其中所述的该些抗硫化材为抗硫化电极。

前述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其中所述的该些抗硫化材为抗硫化电阻。

前述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其进一步包含多个第一金属分别覆盖基板两侧的抗硫化材及银电极，以及包含多个第二金属分别覆盖该些第一金属。