[实用新型]一种高压端口结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201020119385.0 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN201708154U | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 胡镭;裴国旭;李晓辉;李律;王芳芳;邱嘉敏;徐建强 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种高压端口结构及包含该高压端口结构的半导体器件，所述高压端口中，在一衬底上形成有P阱和N阱，所述P阱内部的外围有一P+注入区，所述P+注入区内有两个串联的NMOS管，至少其中一个NMOS管为环形栅结构。本实用新型中，通过在高压端口结构中部分或全部采用环形栅结构，在源/漏之间完全消除了场氧到栅氧的过渡区，从而解决寄生晶体管漏电效应，使器件抗总剂量能力增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 端口 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种高压端口结构，其特征在于，在一衬底上形成有P阱和N阱，所述P阱内部的外围有一P+注入区，所述P+注入区内有两个串联的NMOS管，至少其中一个NMOS管为环形栅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
