[发明专利]纳米晶分栅式闪存的制造过程

摘要

本发明公开了一种纳米晶分栅式闪存的制造方法，包括如下步骤：提供一单晶硅衬底，形成凸字形结构，在所述凸字形结构的表面上均匀生成一层隧穿介质层，再生成一层纳米晶浮栅层；在所述纳米晶浮栅层的表面均匀淀积高温氧化层；接着，在所述高温氧化层表面均匀生长第一多晶硅层；依次刻蚀掉部分所述第一多晶硅层、所述高温氧化层，所述纳米晶浮栅层以及所述隧穿介质层，暴露出所述源极线和所述氧化物侧墙。所述纳米晶分栅式闪存的制造过程采用所述纳米晶材料可有效提高分栅式闪存的性能，缩小体积、提高循环使用的次数并缩短擦写时间，同时，所述纳米晶分栅式闪存的制造方法简单，集成度高，易于在工厂大规模流水线生产。

主权项

一种纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一单晶硅衬底，在所述单晶硅衬底上形成有源极线，在紧挨所述源极线的两侧，由下至上的结构依次为氧化层、选择栅极和氧化物侧墙，形成凸字形结构，在所述凸字形结构的表面上均匀生成一层隧穿介质层；在所述隧穿介质层表面上均匀生成纳米晶浮栅层；在所述纳米晶浮栅层的表面上均匀淀积高温氧化层；接着，在所述高温氧化层表面均匀生长第一多晶硅层；采用干刻法依次刻蚀所述第一多晶硅层、所述高温氧化层，所述纳米晶浮栅层以及所述隧穿介质层，暴露出所述源极线和所述氧化物侧墙，在所述凸字形结构的肩部，保留的所述第一多晶硅层成为两个控制栅，所述控制栅与所述氧化物侧墙高度相等。