[发明专利]纳米晶分栅式闪存的制造过程

权利要求书

1.一种纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一单晶硅衬底，在所述单晶硅衬底上形成有源极线，在紧挨所述源极 线的两侧，由下至上的结构依次为氧化层、选择栅极和氧化物侧墙，形成凸字 形结构，在所述凸字形结构的表面上均匀生成一层隧穿介质层；

在所述隧穿介质层表面上均匀生成纳米晶浮栅层；

在所述纳米晶浮栅层的表面上均匀淀积高温氧化层；

接着，在所述高温氧化层表面均匀生长第一多晶硅层；

采用干刻法依次刻蚀所述第一多晶硅层、所述高温氧化层，所述纳米晶浮 栅层以及所述隧穿介质层，暴露出所述源极线和所述氧化物侧墙，在所述凸字 形结构的肩部，保留的所述第一多晶硅层成为两个控制栅，所述控制栅与所述 氧化物侧墙高度相等。

2.如权利要求1所述的纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，形成所述 凸字形结构的步骤包括：

提供所述单晶硅衬底；

在所述单晶硅衬底表面上形成所述氧化层；

在所述氧化层表面上形成第二多晶硅层；

在所述第二多晶硅层表面上形成电介质层；

接着，刻蚀掉所述电介质层的中间部分，保留所述电介质层的两边；

在两个保留的所述电介质层内侧壁上对称形成两个所述氧化物侧墙；

依次刻蚀掉所述氧化物侧墙之间的所述第二多晶硅层和所述氧化层，直到 暴露出所述单晶硅衬底表面；

在所述氧化物侧墙之间、单晶硅衬底表面上形成所述源极线，所述源极线 的高度接近于所述两个氧化物侧墙；

依次刻蚀掉所述电介质层以及所述电介质层下方的所述第二多晶硅层和所 述氧化层，保留的所述第二多晶硅层成为所述选择栅极。

3.如权利要求1所述的纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，在形成所 述控制栅后，还包括：

在所述控制栅侧壁形成两个绝缘介质侧墙；

在所述绝缘介质侧墙外侧形成位线。

4.如权利要求1所述的纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，所述隧穿 介质层的材料为氧化硅或氮化硅。

5.如权利要求1所述的纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，所述隧穿 介质层的厚度为40埃-50埃。

6.如权利要求1所述的纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，所述纳米 晶浮栅层的材料为纳米晶材料，所述纳米晶材料的颗粒尺寸为5nm-20nm。

7.如权利要求1所述的纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，所述纳米 晶浮栅层采用化学气相沉积形成。

8.如权利要求1所述的纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，所述高温 氧化层是采用高温氧化生长形成。

9.如权利要求1所述的纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，所述第一 多晶硅层采用化学气相沉积形成。

10.如权利要求1所述的纳米晶分栅式闪存的制造方法，其特征在于，所述第一 多晶硅层的厚度为1000埃-3000埃。