[发明专利]发光二极管圆片接合方法、芯片制造方法及圆片接合结构无效
| 申请号： | 201010622768.4 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102569545A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 林修任;林建宪;陈効义;蔡祯辉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;张燕华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管圆片接合方法、芯片制造方法及圆片接合结构。发光二极管(LED)圆片的接合方法包括以下步骤。形成一第一金属薄膜层于LED圆片上。形成一第二金属薄膜层于基体上。形成一接合材料层于第一金属薄膜层表面，接合材料层的熔点低于摄氏110度。置放LED圆片于基体上。以一预固反应温度加热接合材料层一预固时间，以进行依预固反应并形成一第一介金属层及一第二介金属层。以一扩散反应温度加热接合材料层一扩散时间，以进行一扩散反应，扩散反应后的第一介金属层及第二介金属层的熔点高于摄氏110度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 接合 方法 芯片 制造 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管LED圆片的接合方法，用以结合一LED圆片及一基体，其特征在于，该接合方法包括：形成一第一金属薄膜层于该LED圆片上；形成一第二金属薄膜层于该基体上；形成一接合材料层于第一金属薄膜层表面，该接合材料层的熔点低于摄氏110度；置放该LED圆片于该基体上，使该接合材料层接触该第二金属薄膜层；以一预固反应温度加热该接合材料层一预固时间，以进行一预固反应并于该第一金属薄膜层及该接合材料层之间形成一第一介金属层，且于该第二金属薄膜层及该接合材料层之间形成一第二介金属层；以及以一扩散反应温度加热该接合材料层一扩散时间，以进行一扩散反应，该扩散反应后的该第一介金属层及该第二介金属层的熔点高于摄氏110度。
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