[发明专利]成膜装置在审
申请号: | 201010621824.2 | 申请日: | 2010-12-24 |
公开(公告)号: | CN102134710A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 加藤寿;竹内靖 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括:旋转台,其一个面具有基板载置区域;第1、第2反应气体供给部,它们分别配置在容器内的第1、第2供给区域中,用于向一个面供给第1、第2反应气体;分离区域,其配置在第1和第2供给区域之间,包括用于喷出将第1和第2反应气体分离的分离气体的分离气体供给部及形成用于朝向第1和第2供给区域供给上述分离气体的分离空间的顶面;第1和第2排气口,它们与第1和第2供给区域相对应地设置;第1和第2排气口中的至少一个配置为,将朝向所对应的供给区域供给的分离气体向沿着所对应的反应气体供给部延伸的方向引导。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,该成膜装置通过在容器内执行多次按顺序向基板供给互相反应的至少两种反应气体的供给循环而层叠反应生成物的多个层,从而形成薄膜,该成膜装置包括:旋转台,其能够旋转地设置于上述容器内,在该旋转台的一个面上具有用于载置基板的基板载置区域;第1反应气体供给部,其配置在上述容器内的第1供给区域中,沿着与上述旋转台的旋转方向交叉的方向延伸,用于向上述旋转台的上述一个面供给第1反应气体;第2反应气体供给部,其配置在自上述第1供给区域沿着上述旋转台的上述旋转方向离开的第2供给区域中,沿着与上述旋转方向交叉的方向延伸,用于向上述旋转台的上述一个面供给第2反应气体;分离区域,其配置在第上述第1供给区域和上述第2供给区域之间,该分离区域包括:分离气体供给部,其用于喷出将上述第1反应气体和上述第2反应气体分离的分离气体;顶面,其用于朝向上述第1供给区域和上述第2供给区域供给来自上述分离气体供给部的上述分离气体,在该顶面与上述旋转台的上述一个面之间形成具有规定高度的分离空间;第1排气口,其与上述第1供给区域相对应地设置;第2排气口,其与上述第2供给区域相对应地设置;上述第1排气口和上述第2排气口中的至少一个排气口配置为,将从上述分离区域朝向与该排气口相对应的第1供给区域或第2供给区域供给的上述分离气体向沿着该第1供给区域的第1反应气体供给部或第2供给区域的第2反应气体供给部延伸的方向引导。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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