[发明专利]具有背面钝化的选择性发射结硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及硅太阳能电池的技术领域，尤其是一种具有背面钝化的选择性发射结硅太阳能电池的制备方法：将硅片进行清洗制绒；采用热氧化的方法在硅片表面生长一层二氧化硅的薄膜；用腐蚀性浆料对硅片进行腐蚀，将硅片腐蚀出正电极后进行选择性扩散，在硅片的正面形成选择性发射结；将硅片去PSG及刻边；在硅片的背面沉积一层三氧化二铝薄膜作为钝化层；将硅片进行氢气退火、正面及背面电极的印刷、烧结并进行电性能测试。本发明在硅片的背表面生长或沉积一层或多层的电介质薄膜，并在背面印刷电极，通过烧结实现欧姆接触，降低背面复合，提高了电池的效率。

主权项

一种具有背面钝化的选择性发射结硅太阳能电池的制备方法，其方法步骤为：(一)、将硅片进行清洗制绒；(二)、采用热氧化的方法在硅片表面生长一层二氧化硅的薄膜；(三)、用腐蚀性浆料对硅片进行腐蚀，将硅片腐蚀出正电极后进行选择性扩散，在硅片的正面形成选择性发射结；(四)、将硅片去PSG及刻边；(五)、在硅片的背面沉积一层三氧化二铝薄膜作为钝化层；(六)、将硅片进行氢气退火、正面及背面电极的印刷、烧结并进行电性能测试。