[发明专利]新一代硅基太阳能电池p-n结的制作工艺

摘要

本发明涉及新一代硅基太阳能电池p-n结的制作工艺，步骤如下：1)取3-4N多晶硅为衬底并清洁；2)在氩气保护的密闭环境中进行蘸片；3)蘸片取出后分阶段退火冷却到室温，在室温条件下用滚筒在p型层上涂上一层活性的或非活性的磷源，再进行干燥处理；4)在高温和氮气的保护下进行高温主扩散形成一浅结；5)然后在给定温度条件下进行再扩散杂质再分布和退火过程，完成晶界处的深结，p-n结的制作完成。本发明具有如下优点：在相对低纯度多晶硅的衬底上通过蘸片蘸取高纯度的液态硅，杜绝了材料浪费的现象；通过低温滚筒涂刷限定源高温扩散制作太阳能电池p-n结，减少杂质造成的缺陷使少子复合率下降的优势，又具有常规一步高温扩散形成陡峭p-n结的优点。

主权项

一种新一代硅基太阳能电池p‑n结的制作工艺，其特征在于，步骤如下：(1)衬底清洁：取3‑4N多晶硅为衬底，其3‑4N多晶硅的P＜0.2ppmWt、B＜0.2ppmWt原位高温清洁，所述高温为1350～1400℃；(2)在氩气保护的密闭环境中进行蘸片：蘸液为1420～1450℃熔融状态的、B＜0.2ppmWt的6‑7N多晶硅硅液，盛放于高纯度石英坩埚内，蘸片时蘸液温度控制在1420℃、时间为0.2～0.6秒，衬底表面形成p型第一半导体层；(3)蘸片取出后分阶段退火冷却到室温，在室温条件下用滚筒在步骤2的p型层上涂上一层磷源，把涂好磷源的硅片放进干燥室在80～100℃温度下进行干燥处理10～30分钟；(4)在高温和氮气的保护下进行高温主扩散形成一浅结，高温为1000～1100℃范围中的最佳值1050℃，时间4‑5分钟；(5)然后在给定温度条件下进行再扩散杂质再分布和退火过程，给定温度条件为在800～900℃范围中的最佳值850℃，时间30‑40分钟，完成晶界处的深结，p‑n结的制作完成。