[发明专利]新一代硅基太阳能电池p-n结的制作工艺

权利要求书

1.一种新一代硅基太阳能电池p-n结的制作工艺，其特征在于，步骤如下：

(1)衬底清洁：取3-4N多晶硅为衬底，其3-4N多晶硅的P＜0.2ppmWt、B＜0.2ppmWt原位高温清洁，所述高温为1350～1400℃；

(2)在氩气保护的密闭环境中进行蘸片：蘸液为1420～1450℃熔融状态的、B＜0.2ppmWt的6-7N多晶硅硅液，盛放于高纯度石英坩埚内，蘸片时蘸液温度控制在1420℃、时间为0.2～0.6秒，衬底表面形成p型第一半导体层；

(3)蘸片取出后分阶段退火冷却到室温，在室温条件下用滚筒在步骤2的p型层上涂上一层磷源，把涂好磷源的硅片放进干燥室在80～100℃温度下进行干燥处理10～30分钟；

(4)在高温和氮气的保护下进行高温主扩散形成一浅结，高温为1000～1100℃范围中的最佳值1050℃，时间4-5分钟；

(5)然后在给定温度条件下进行再扩散杂质再分布和退火过程，给定温度条件为在800～900℃范围中的最佳值850℃，时间30-40分钟，完成晶界处的深结，p-n结的制作完成。

2.根据权利要求1所述的新一代硅基太阳能电池p-n结的制作工艺，其特征在于，所述步骤(3)涂上一层磷源为活性磷源为P₂O₅。

3.根据权利要求1所述的新一代硅基太阳能电池p-n结的制作工艺，其特征在于，所述步骤(3)涂上一层磷源为非活性的磷源偏磷酸铝Al(PO₃)₃。