[发明专利]选择性外延工艺的监控方法有效
| 申请号： | 201010613731.5 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102569041A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;涂火金;何永根;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供选择性外延工艺的监控方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在所述第二区域上形成介质层，所述介质层使得所述第二区域具有不同于第一区域的颜色；对所述半导体衬底进行选择性外延工艺；在所述选择性外延工艺后，观察所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的颜色是否相同；若所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的第二区域颜色相同，则该选择性外延工艺的选择性正常，反之，则该选择性外延工艺的选择性异常；在所述选择性外延工艺后，测试所述第一区域的外延层的厚度，该厚度即为选择性外延工艺的厚度。本发明利用同一半导体衬底测试选择性外延工艺的选择性和厚度，降低了选择性外延监控工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 外延 工艺 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性外延工艺的监控方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为第一区域和第二区域；在所述第二区域上形成介质层，所述介质层使得所述第二区域具有一定的颜色，该颜色不同于第一区域的颜色；对所述第二区域形成有介质层的所述半导体衬底进行选择性外延工艺；在所述选择性外延工艺后，观察所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的颜色是否相同；若所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的第二区域颜色相同，则该选择性外延工艺的选择性正常，若所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的第二区域的颜色不同，则该选择性外延工艺的选择性异常；在所述选择性外延工艺后，测试所述第一区域的外延层的厚度，该厚度即为选择性外延工艺的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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