[发明专利]TFT-LCD的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201010612945.0 | 申请日: | 2010-12-29 |
公开(公告)号: | CN102566156A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 孙荣阁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种TFT-LCD的阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示器技术领域,能够减小存储电容和减少色差,工艺实现性较好。阵列基板包括:形成在基板上的栅线和数据线;栅线和数据线交叉定义一个子像素单元,每一个子像素单元包括薄膜晶体管、公共电极、第一像素电极层和第二像素电极层;每个子像素单元包括第一像素区域和第二像素区域;第一像素区域具有与公共电极连接的第一像素电极层和与所述薄膜晶体管的漏极连接的第二像素电极层;第二像素区域具有第二像素电极层;包括:与所述薄膜晶体管的漏极连接的第二区域第一像素电极和与公共电极连接第二区域第二像素电极。 | ||
搜索关键词: | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种TFT‑LCD的阵列基板,其特征在于,包括:基板,形成在基板上的栅线和数据线;栅线和数据线交叉定义一个子像素单元,每一个子像素单元包括薄膜晶体管、公共电极、第一像素电极层和第二像素电极层;每个子像素单元包括第一像素区域和第二像素区域;所述第一像素区域具有与公共电极连接的第一像素电极层和与所述薄膜晶体管的漏极连接的第二像素电极层;所述第一像素区域的第二像素电极层的图形为数个第一区域像素电极,相邻两个第一区域像素电极之间间隔有独立的第一区域开口;所述第一像素电极层与所述第一像素区域的第二像素电极层通过绝缘层隔开;所述第二像素区域具有第二像素电极层;所述第二像素区域的第二像素电极层的图形为数个第二区域像素电极,所述第二区域像素电极包括:间隔排列的第二区域第一像素电极和第二区域第二像素电极,所述第二区域第一像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接;所述第二区域第二像素电极通过公共电极接触孔与所述公共电极连接;所述第二区域第一像素电极与所述第二区域第二像素电极通过第二区域开口相隔离。
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