[发明专利]一种高纯度三氯氢硅的提纯方法无效
申请号: | 201010602611.5 | 申请日: | 2010-12-23 |
公开(公告)号: | CN102030336A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 郎丰平;邱顺恩;黄少辉;黄小明;李明生 | 申请(专利权)人: | 江西嘉柏新材料有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人: | 杨建君 |
地址: | 333311 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明涉及一种高纯度三氯氢硅的提纯方法,所述的精馏采用连续式进料,包括如下步骤:a)将包含三氯氢硅的原料液送入第一精馏塔进行一级精馏,从塔顶分离出低沸物杂质;b)将所述第一精馏塔的塔釜馏分送入第二精馏塔进行二级精馏,从塔顶分离高纯度三氯氢硅;c)将所述第二精馏塔的塔釜馏分送入第三精馏塔进行三级精馏,塔顶馏分经冷凝后送入第二精馏塔进行再次精馏,塔釜馏分排至四氯化硅储槽。本发明通过三级精馏实现三氯氢硅的提纯,所得三氯氢硅的产率高达95%,纯度高达99.9%,较现有水平有显著提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 纯度 三氯氢硅 提纯 方法 | ||
【主权项】:
一种高纯度三氯氢硅的提纯方法,其特征在于:所述的精馏采用连续式进料,包括如下步骤:a)将含三氯氢硅的原料液送入第一精馏塔进行一级精馏,从塔顶分离出含90%‑95%二氯二氢硅的低沸物杂质,塔釜馏分中硼含量低于0.05ppb;b)将所述第一精馏塔的塔釜馏分送入第二精馏塔进行二级精馏,从塔顶分离出99.9%以上的三氯氢硅,其中磷含量低于0.05ppb;c)将所述第二精馏塔的塔釜馏分送入第三精馏塔进行三级精馏,塔顶馏分经冷凝后送入第二精馏塔进行再次精馏,塔釜馏分排至四氯化硅储槽。
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