[发明专利]太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片

摘要

本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：在N型基底表面形成掺杂剂量为a的N+型掺杂层；在该N+型掺杂层表面形成具有图样的薄膜；将该P型离子从该开放区域的一侧倾斜注入至该N型基底中以形成N型掺杂区域；将该P型离子从该开放区域的另一侧倾斜注入至该N型基底中以形成P+型掺杂区域；去除该具有图样的薄膜，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明还公开了一种掺杂晶片。本发明中P+型掺杂区域与N+型掺杂层之间具有N型基底的基底材料作为缓冲层，使得PN结之间不会因为耗尽层太薄而导致被击穿，由此提高了该掺杂晶片的使用寿命。

主权项

1.一种太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S₁、在N型基底表面形成掺杂剂量为a的N+型掺杂层；步骤S₂、在该N+型掺杂层表面形成具有图样的薄膜，其中，未被该具有图样的薄膜覆盖的区域为开放区域；步骤S₃、加速P型离子并通过离子注入的方式将该P型离子从该开放区域注入至该N型基底中，其中离子注入的方向为位于该N型基底法线平面的一侧与该N型基底法线平面呈夹角α的方向，P型离子的掺杂剂量为完成离子注入后，在该N+型掺杂层中经过离子注入的区域形成N型掺杂区域；步骤S₄、加速P型离子并通过离子注入的方式将该P型离子从该开放区域注入至该N型基底中，其中离子注入的方向为位于该N型基底法线平面的另一侧与该N型基底法线平面呈夹角α的方向，P型离子的掺杂剂量为完成离子注入后，在该N+型掺杂层中经过一次离子注入的区域形成N型掺杂区域，在该N+型掺杂层中经过二次离子注入的区域形成P+型掺杂区域，其中该N型掺杂区域形成于该N+型掺杂层中未经过P型离子注入的区域与该P+型掺杂区域之间；步骤S₅、去除该具有图样的薄膜，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。