[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及成像设备无效
| 申请号： | 201010599085.1 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102130141A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 户田淳 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了固态成像装置及其制造方法以及成像设备。一种固态成像装置，包括：硅衬底以及光电转换层，该光电转换层设置在硅衬底上并且与硅衬底晶格匹配，光电转换层由基于铜-铝-镓-铟-硫-硒的混晶或基于铜-铝-镓-铟-锌-硫-硒的混晶的基于黄铜矿的化合物半导体构成。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 设备 | ||
【主权项】：
一种固态成像装置，包括：硅衬底；以及光电转换层，其设置在所述硅衬底上并且与所述硅衬底晶格匹配，所述光电转换层由基于铜‑铝‑镓‑铟‑硫‑硒的混晶或基于铜‑铝‑镓‑铟‑锌‑硫‑硒的混晶的基于黄铜矿的化合物半导体构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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