[发明专利]新型碳化硅肖特基二极管有效
| 申请号： | 201010592965.6 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102569421A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 盛况;郭清;邓永辉;崔京京;周伟成 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧;刘思宁 |
| 地址： | 310027 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括SiC衬底（2），SiC衬底（2）下端连接有阴极（1），SiC衬底（2）上端连接有SiC外延层（3），SiC外延层（3）上端连接有肖特基势垒接触金属层（5），肖特基势垒接触金属层（5）上设有阳极（6），所述的SiC外延层（3）为至少两个且依次叠接，最下层的SiC外延层（3）与阴极（1）相连，最上层的SiC外延层（3）与肖特基势垒接触金属层（5）相连，SiC外延层（3）的上表面设有P区（4）。本发明通过增加SiC外延层的数量，从而提高SBD反向阻断电压，降低器件的导通电阻，使得肖特基势垒二极管的通态损耗更小。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 碳化硅 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
新型碳化硅肖特基二极管，包括SiC衬底（2），SiC衬底（2）下端连接有阴极（1），SiC衬底（2）上端连接有SiC外延层（3），SiC外延层（3）上端连接有肖特基势垒接触金属层（5），肖特基势垒接触金属层（5）上设有阳极（6），其特征在于：所述的SiC外延层（3）为至少两个且依次叠接，最下层的 SiC外延层（3）与阴极（1）相连，最上层的SiC外延层（3）与肖特基势垒接触金属层（5）相连， SiC外延层（3）的上表面设有P区（4）。
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