[发明专利]用于集成替换金属栅极结构的方法无效
| 申请号： | 201010591397.8 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102087999A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | J·卡瓦利罗斯;J·K·布拉斯克;M·L·多茨;S·A·哈尔兰德;M·V·梅茨;C·E·巴恩斯;R·S·仇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;高为 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于集成替换金属栅极结构的方法。本发明描述了形成微电子器件的方法和相关结构。那些方法包括：提供包括包含n-型栅极材料的第一晶体管结构和包含p-型栅极材料的第二晶体管结构的衬底，选择性地去除n-型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，然后用n-型金属栅极材料填充该凹进。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成 替换 金属 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于集成替换金属栅极结构的方法，包括：提供包括包含n‑型栅极材料的第一晶体管结构和包含p‑型栅极材料的第二晶体管结构的衬底；选择性地去除n‑型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，其中所述n‑型栅极材料和所述p‑型栅极材料都暴露于选择性地去除处理；以及用n‑型金属栅极材料填充该凹进；其中选择性地去除n‑型栅极材料包括：通过用去离子水中约百分之2至约百分之30的氢氧化铵的混合物湿法蚀刻n‑型栅极材料以及施加从约0.5MHz至约1.2MHz的超声降解，来选择性地去除n‑型栅极材料。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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