[发明专利]用于制作半导体器件的源/漏区的方法有效
| 申请号： | 201010589571.5 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569077A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制作半导体器件的源/漏区的方法，包括：提供前端器件结构，其包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的栅极结构；进行轻掺杂源/漏注入和晕环注入，以在半导体衬底中将要形成源/漏区的部分中形成轻掺杂源/漏区和包围轻掺杂源/漏区的晕环区；在半导体衬底上形成位于栅极结构外侧且紧靠栅极结构的间隙壁结构；以及进行重掺杂源/漏注入，以在所述部分中形成重掺杂源/漏区，其中，在所述进行轻掺杂源/漏注入和晕环注入的步骤中还包括：进行氟注入，以将氟离子注入到所述将要形成源/漏区的部分中。根据本发明示例性实施例的方法能够减小S/D区与阱区之间的结电容和RSCE效应并有效提高击穿电压并减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作半导体器件的源/漏区的方法，所述方法包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的栅极结构；进行轻掺杂源/漏注入和晕环注入，以在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分中形成轻掺杂源/漏区和包围所述轻掺杂源/漏区的晕环区；在所述半导体衬底上形成位于所述栅极结构外侧且紧靠所述栅极结构的间隙壁结构；以及进行重掺杂源/漏注入，以在所述将要形成源/漏区的部分中形成重掺杂源/漏区，其特征在于，所述方法在所述进行轻掺杂源/漏注入和晕环注入的步骤中还包括：进行氟注入，以将氟离子注入到所述将要形成源/漏区的部分中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
