[发明专利]一种功率场效应晶体管及其布图方法

摘要

本发明涉及一种集成于一单片硅片上的功率场效应晶体管及其布图设计方法，所述功率场效应晶体管由多个单元晶格并行排列组成，每一单元晶格包括栅极区域、源极区域和漏极区域，其中，所述漏极区域和所述源极区域分别分布在所述栅极区域的两侧，其特征在于，所述栅极区域呈弯折形状，在第一端向漏极区域弯折，以在漏极区域形成第一凹入区域、第一弯折区域和第一接触区域；在第二端向源极区域弯折，以在源极区域形成第二凹入区域、第二弯折区域和第二接触区域；所述的呈弯折形状的栅极区域增加了有效沟道宽度，从而使得导通电阻RDSON减小；相应的漏极区域和源极区域不再是矩形形状，而是在不同的区域具有不同的形状，从而减小单元晶格的高度，进一步减小了导通电阻RDSON；并且它还可以增加场效应晶体管的沟道密度，从而减小了导通电阻RDSON，其实现方法更加有利和实用。

主权项

一种功率场效应晶体管，由多个单元晶格并行排列组成，每一单元晶格包括栅极区域、源极区域和漏极区域，其中，所述漏极区域和所述源极区域分别分布在所述栅极区域的两侧，其特征在于，所述栅极区域呈弯折形状，在第一端向漏极区域弯折，以在漏极区域形成第一凹入区域、第一弯折区域和第一接触区域；在第二端向源极区域弯折，以在源极区域形成第二凹入区域、第二弯折区域和第二接触区域。