[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010577852.9 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102544089A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型MOSFET器件及其实现方法，包括，衬底；栅极堆叠结构，位于沟道上；隔离侧墙位于栅极堆叠结构两侧；源漏区，位于隔离侧墙两侧的衬底区；外延生长的金属硅化物，位于源漏区上；其特征在于：隔离侧墙是减薄的或细长的，外延生长的金属硅化物直接与该减薄的或细长的隔离侧墙下的沟道区接触，从而消除了传统的厚隔离侧墙下面的高阻区。依照本发明的MOSFET，大大减小了寄生电阻电容，从而降低了RC延迟，使得MOSFET器件开关性能达到大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；栅极堆叠结构，位于所述衬底上；隔离侧墙，位于所述栅极堆叠结构两侧；源漏区，位于所述隔离侧墙的两侧且嵌入所述衬底中；外延生长的金属硅化物，位于所述源漏区上；其特征在于：所述外延生长的金属硅化物直接与所述隔离侧墙下的沟道区接触。
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