[发明专利]半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置有效
| 申请号： | 201010574071.4 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102088162A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 川上俊之;有吉章 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置。该半导体激光器芯片的散热性能更加改善。该半导体激光器芯片包括：基板，具有前表面和背表面；氮化物半导体层，形成在基板的前表面上；光波导(脊部分)，形成在氮化物半导体层中；n侧电极，形成在基板的背表面上；以及切口部分，形成在包括基板的区域中且沿光波导(脊部分)行进。切口部分具有切口表面，在切口表面上形成连接到n侧电极的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 芯片 及其 制造 方法 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器芯片，包括：基板，包括一个主表面和与该一个主表面相反的另一个主表面；半导体层，形成在所述基板的所述一个主表面上；光波导，形成在所述半导体层中；第一金属层，形成在所述基板的所述另一个主表面上；以及第一切口部分，形成在包括所述基板的区域中且沿所述光波导行进，其中，所述第一切口部分包括至少部分地覆盖有第二金属层的切口表面，该第二金属层与所述第一金属层接触。
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