[发明专利]局部激光熔融磷硅玻璃制作选择性发射极太阳电池的方法

摘要

本发明公开了一种局部激光熔融磷硅玻璃制作选择性发射极太阳电池的方法，包括：将晶片表面织构化；利用热扩散进行磷扩散，同时在表面生成磷硅玻璃；通过局部熔融晶片，使激光扫描部位磷硅玻璃中的磷元素进一步扩散到晶片中去；进行边界隔离；去除激光熔融晶片过程中形成的损伤层；去除剩余磷硅玻璃；在前表面形成涂层；把银浆通过丝网印刷的方式镀压在晶片前表面上，在激光扫描过的区域形成前电极；把银浆镀压在晶片后表面上，形成背电极，把铝浆通过丝网印刷的方式镀压在晶片后表面，形成背电场；将晶片烧结，使金属电极元素和晶片中的硅形成共晶。本发明整个工艺过程中只有一步扩散过程，工艺简单，对硅片无损害，并且吸杂效果好。

主权项

一种局部激光熔融磷硅玻璃制作选择性发射极太阳电池的方法，其特征是：包括下列步骤：（1）清洗晶片表面损伤层，并将表面织构化；（2）利用热扩散进行磷扩散，形成n型层，同时在表面生成10‑200nm厚的磷硅玻璃，磷硅玻璃中的磷含量通过扩散过程中通入磷源的量进行调节，磷硅玻璃厚度通过扩散过程中通入的氧气的量进行调节；（3）利用激光在晶片前表面根据金属化图形扫描热扩散掺杂后的磷玻璃，通过局部熔融晶片，使激光扫描部位磷硅玻璃中的磷元素进一步扩散到晶片中去，形成相对较重的掺杂区域；（4）进行边界隔离；（5）在碱性溶液中去除激光熔融晶片过程中形成的损伤层；（6）去除剩余磷硅玻璃，；（7）通过等离子化学汽相淀积的方式在前表面形成厚度为60‑150 nm的涂层，该涂层包括钝化层和增透膜，该涂层的钝化层为SiOx、SiCx、SiNx或Al2O3薄膜，或钝化层为叠层结构，且叠层的顶层为SiNx薄膜；（8）把银浆通过丝网印刷的方式镀压在晶片前表面上，在激光扫描过的区域形成前电极；（9）把银浆通过丝网印刷的方式镀压在晶片后表面上，形成背电极，把铝浆通过丝网印刷的方式镀压在晶片后表面，形成背电场；（10）将晶片在700‑‑1000℃烧结，使金属电极元素和晶片中的硅形成共晶。