[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件具有：半导体衬底，该衬底具有形成在其上的晶体管；多层互连，其形成在半导体衬底上并且其中堆叠有分别由互连和绝缘膜组成的多个互连层；以及电容元件，具有全部都被嵌入在多层互连中以组成存储元件的下电极(下电极膜)、电容器绝缘膜和上电极(上电极膜)；并且进一步包括形成在电容元件和晶体管之间的至少一层镶嵌结构的铜互连(第二层互连)；互连中之一(第二层互连)的上表面和电容元件的下表面几乎在同一平面上对齐；并且至少一层铜互连(板线互连)形成在电容元件上。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，其上形成有晶体管；多层互连，其形成在所述半导体衬底上，并且其中堆叠有分别由互连和绝缘膜构成的多个互连层；电容元件，其具有下电极、电容器绝缘膜和上电极，所述下电极、电容器绝缘膜和上电极均嵌入在所述多层互连中，以构成存储元件；至少一层的镶嵌结构的铜互连，其形成在所述电容元件和所述晶体管之间；所述互连之一的上表面和所述电容元件的下表面几乎在同一平面上对齐；以及至少一层的铜互连被形成在所述电容元件的上方。