[发明专利]电荷回收电路有效
| 申请号： | 201010563358.7 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102347070A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 金荣奭;许国原;陶昌雄;金英奭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电荷回收电路。第一PMOS晶体管具有耦接至第一节点的第一源极，耦接至第一控制晶体管的第一漏极，以及以第一电压驱动的第一栅极。第一NMOS晶体管具有耦接至第二节点的第二源极，耦接至第一控制晶体管的第二漏极，以及以第二电压驱动的第二栅极。第一PMOS晶体管根据第一电压的第一电压值以及在第一节点的第一节点电压值而不导通。第一NMOS晶体管根据第二电压的第二电压值以及在第二节点的第二节点电压值而不导通。当第一PMOS晶体管，第一控制晶体管，和第一NMOS晶体管导通时，第一节点电压值下降，而第二节点电压值上升。本发明通过降低内部供应节点和内部接地节点间的电压摆幅，噪声被降低。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 回收 电路 | ||
【主权项】：
一种电荷回收电路，包括：一第一节点；一第二节点；一第一PMOS晶体管，具有耦接至上述第一节点的一第一源极，耦接至一第一控制晶体管的一第一漏极，以及用以接收一第一电压的一第一栅极；一第一NMOS晶体管，具有耦接至上述第二节点的一第二源极，耦接至上述第一控制晶体管的一第二漏极，以及用以接收一第二电压的一第二栅极，其中上述第一PMOS晶体管用以根据上述第一电压的一第一电压值以及在上述第一节点的一第一节点电压值而不导通；上述第一NMOS晶体管用以根据上述第二电压的一第二电压值以及在上述第二节点的一第二节点电压值而不导通；当上述第一PMOS晶体管，上述第一控制晶体管，和上述第一NMOS晶体管导通时，上述第一节点电压值下降，而上述第二节点电压值上升；以及上述第一控制晶体管是一第二PMOS晶体管或一第二NMOS晶体管之一，且用以于上述第一控制晶体管的栅极接收一控制信号。
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