[发明专利]电荷回收电路

权利要求书

1.一种电荷回收电路，包括：

一第一节点；

一第二节点；

一第一PMOS晶体管，具有耦接至上述第一节点的一第一源极，耦接至一第一控制晶体管的一第一漏极，以及用以接收一第一电压的一第一栅极；

一第一NMOS晶体管，具有耦接至上述第二节点的一第二源极，耦接至上述第一控制晶体管的一第二漏极，以及用以接收一第二电压的一第二栅极，

其中

上述第一PMOS晶体管用以根据上述第一电压的一第一电压值以及在上述第一节点的一第一节点电压值而不导通；

上述第一NMOS晶体管用以根据上述第二电压的一第二电压值以及在上述第二节点的一第二节点电压值而不导通；

当上述第一PMOS晶体管，上述第一控制晶体管，和上述第一NMOS晶体管导通时，上述第一节点电压值下降，而上述第二节点电压值上升；以及

上述第一控制晶体管是一第二PMOS晶体管或一第二NMOS晶体管之一，且用以于上述第一控制晶体管的栅极接收一控制信号。

2.根据权利要求1所述的电荷回收电路，其中：

上述第一电压包括上述第一PMOS晶体管的临界电压值以及一第一节点限制电压值；

上述第二电压包括上述第一NMOS晶体管的临界电压值以及一第二节点限制电压值；以及

上述第一节点限制电压值和上述第二节点限制电压值

分别为上述第一节点和上述电二节点之间的电压差值的一半。

3.根据权利要求1所述的电荷回收电路，还包括：

一第一开关，用以电性连接一第一电压源至上述第一节点；

一第二开关，用以电性连接一第二电压源至上述第一节点；

一第三开关，用以电性连接一第三电压源至上述第二节点；以及

一第四开关，用以电性连接一第四电压源至上述第二节点。

4.一种电荷回收电路，包括：

一第一节点；

一第一开关，用以连接一第一电压源至上述第一节点；

一第二开关，用以连接一第二电压源至上述第一节点；

一第二节点；

一第三开关，用以连接一第三电压源至上述第二节点；

一第四开关，用以连接一第四电压源至上述第二节点；

以及

一第一电路，耦接于上述第一节点以及上述第二节点之间，以及用以同时在上述第一节点的一第一节点电压值下降一下降电压值以及在上述第二节点的一第二节点电压值上升一上升电压值。

5.根据权利要求4所述的电荷回收电路，其中：

上述第一节点为一存储器阵列中一列的一内部供应节点；以及

上述第二节点为上述存储器阵列中一列的一内部接地节点。

6.根据权利要求4所述的电荷回收电路，其中上述第一电路包括：

一第一PMOS晶体管，具有一第一PMOS漏极，一第一PMOS栅极，以及耦接至上述第一节点的一第一PMOS源极；

一第一NMOS晶体管，具有一第一NMOS漏极，一第一NMOS栅极，以及耦接至上述第二节点的一第一NMOS源极；以及

一控制晶体管，耦接于上述第一PMOS漏极以及上述第一NMOS漏极之间。

7.根据权利要求4所述的电荷回收电路，其中上述第一电路根据下列条件之一或其组合而不导通：

上述下降电压值大于一第一既定电压值；以及

上述上升电压值大于一第二既定电压值。

8.根据权利要求4所述的电荷回收电路，其中上述下降电压值与上述上升电压值之和等于在上述第一节点和上述第二节点间既定电压差值。

9.一种电荷回收方法，适用于一电路，上述电路耦接于一第一节点以及一第二节点之间，并具有一第一电压摆幅，上述电荷回收方法包括：

导通上述电路以同时将上述第一节点的一第一电压电平降低一第一电压值以及将上述第二节点的一第二电压电平上升一第二电压值，其中上述第一电压摆幅因而降低一电压差值；

不导通上述电路；以及

电性耦接上述第一节点至具有一第一电源电压值的一第一电压源以及电性耦接上述第二节点至具有一第二电源电压值的一第二电压源。