[发明专利]具有高、低温非晶硅本质层的高光电转换效率太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201010562911.5 申请日: 2010-11-24
公开(公告)号: CN102479836A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 张一熙;梅长锜;刘吉人 申请(专利权)人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/055;H01L31/076;H01L31/0256;H01L31/0352
代理公司: 北京市维诗律师事务所 11393 代理人: 杨安进
地址: 201707 上海市青*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明是关于一种具有高、低温非晶硅本质层的高光电转换效率太阳能电池,其包括透明基板、第一与第二电极、红外光转换层以及依序配置于第一电极与第二电极之间的第一n型半导体层、高温非晶硅本质层、第一p型半导体层、第二n型半导体层、低温非晶硅本质层与第二p型半导体层;第一n型半导体层位于高温非晶硅本质层与第二电极之间;红外光转换层配置于第一n型半导体层与第二电极之间或第二p型半导体层与第一电极之间,用以将红外光转换为可见光。
搜索关键词: 具有 低温 非晶硅 本质 光电 转换 效率 太阳能电池
【主权项】:
一种具有高、低温非晶硅本质层的高光电转换效率太阳能电池,其特征在于包括:一透明基板;一第一电极,配置于该透明基板上;一第二电极,配置于该第一电极与该透明基板之间;一第一n型半导体层、一高温非晶硅本质层、一第一p型半导体层、一第二n型半导体层、一低温非晶硅本质层与一第二p型半导体层,依序配置于该第一电极与该第二电极之间,且该第一n型半导体层位于该高温非晶硅本质层与该第二电极之间;以及一红外光转换层,配置于该第一n型半导体层与该第二电极之间或该第二p型半导体层与该第一电极之间,用以将红外光转换为一可见光。
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