[发明专利]交流发光二极管模块无效
申请号: | 201010559234.1 | 申请日: | 2010-11-22 |
公开(公告)号: | CN102479795A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 曾俊龙;苏志宗;曾健文;陈柏荣 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种交流发光二极管模块,其包括:基板;发光二极管,位于基板上,且发光二极管包括具有第一导电特性的半导体层与具有第二导电特性的半导体层;以及桥式整流器,位于基板上,电连接于发光二极管,包括多个萧特基二极管,其中萧特基二极管中的第一部分位于第一半导体层上方,萧特基二极管中的第二部分位于第二半导体层上方。 | ||
搜索关键词: | 交流 发光二极管 模块 | ||
【主权项】:
一种交流发光二极管模块,包括:基板;发光二极管,位于该基板上,且该发光二极管包括具有第一导电特性的第一半导体层与具有第二导电特性的第二半导体层;以及桥式整流器,位于该基板上,电连接于该发光二极管,包括多个萧特基二极管,其中该多个萧特基二极管中的第一部分位于该第一半导体层上方,且该多个萧特基二极管中的第二部分位于该第二半导体层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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