[发明专利]VDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010551474.7 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102468334A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王乐 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实施例公开了一种VDMOS器件及其制造方法，该器件包括：基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层之上的外延层，所述本体层包括漏区；位于外延层内的隔离区；位于隔离区两侧外延层内的第一体区和第二体区；位于所述第一体区内的第一源区，位于所述第二体区内的第二源区；位于所述第一源区和第二源区之间，且位于所述隔离区上方的栅区。本发明通过在第一体区和第二体区之间的外延层内形成绝缘的隔离区，消除了导电通道向第一体区和第二体区之间的外延层区域扩散的过渡区间，消除了VDMOS器件的寄生电阻，降低了器件的总的导通电阻，提高了器件的电性，由于寄生电阻的消失，减小了器件元胞的占用面积，提高了基底表面的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层之上的外延层，所述本体层包括漏区；位于所述外延层内的隔离区；位于所述隔离区两侧外延层内的第一体区和第二体区，所述第一体区和第二体区的掺杂状态相同，与所述外延层的掺杂离子导电类型相反；位于所述第一体区内的第一源区，位于所述第二体区内的第二源区，所述第一源区和第二源区的掺杂状态相同，与所述第一体区和第二体区的掺杂离子导电类型相反；位于所述第一源区和第二源区之间，且位于所述隔离区上方的栅区。
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